[发明专利]外腔窄线宽激光器有效
| 申请号： | 201510999578.7 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN105428998B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘建国;于丽娟;苏亚嫚;祝宁华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/14 | 分类号： | H01S5/14;H01S5/06;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外腔窄线宽激光器，该激光器包括：半导体光放大器、平面波导光栅和衬底，其中：所述半导体光放大器和平面波导光栅键合到所述衬底上；所述半导体光放大器的一端镀有高反射膜，另一端镀有高透膜；所述平面波导光栅的两侧均镀有高透膜；所述半导体光放大器镀有高透膜一端的端面与所述平面波导光栅的一侧端面相耦合。本发明提供的外腔窄线宽激光器，具有窄线宽，高功率，低噪声及高的频率稳定性等特点，可应用于高阶调制格式及相干探测系统中，为下一代光纤通信系统提供发射源和本征源激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 外腔窄线宽 激光器 | ||
【主权项】：
1.一种外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述激光器包括：半导体光放大器(102)、平面波导光栅(103)和衬底(101)，其中：所述半导体光放大器(102)和平面波导光栅(103)键合到所述衬底(101)上；所述半导体光放大器(102)的一端镀有高反射膜，另一端镀有高透膜；所述平面波导光栅(103)的两侧均镀有高透膜；所述平面波导光栅(103)为布拉格外脊波导光栅结构；所述半导体光放大器(102)镀有高透膜一端的端面与所述平面波导光栅(103)的一侧端面相耦合；其中，所述平面波导光栅(103)包括：衬底(401)，其制备材料为Si，用于在其表面上制作平面波导光栅(103)的外延层；隔离氧化层(402)，其制备材料为SiO2，制作在所述衬底(401)上；波导层(403)，其制备材料为Si，制作在所述隔离层(402)上；光栅，刻在所述波导层(403)上；利用硅材料的热光效应、载流子色散效应，对光栅的谐振波长进行调制；通过调节光栅与内脊波导间的距离d，光栅齿幅度a，对光栅的耦合系数和线宽进行调制。
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