[发明专利]毫米波/太赫兹多金属层半导体器件的接地屏蔽结构在审
| 申请号： | 201511000041.1 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105609486A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 王磊;杨漫菲;马凯文;陈庆;方堃;孙博文 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/58;H01L23/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种关于改善毫米波/太赫兹电路器件性能的接地屏蔽结构。该接地屏蔽结构，包括了一个接地屏蔽金属环和一个接地隔离金属条，接地屏蔽金属环把半导体器件的两个端口包围形成一个环状，接地隔离金属条把半导体器件两个端口隔离。该发明有效地降低半导体器件的损耗，提高其截止频率，适用于毫米波/太赫兹的单片电路设计。 | ||
| 搜索关键词： | 毫米波 赫兹 金属 半导体器件 接地 屏蔽 结构 | ||
【主权项】：
接地屏蔽金属环和接地隔离金属条由金属层1通过通孔2,4,6,810逐层连接金属层3,5,7,9一直到金属层11形成两个衔接的金属环状。
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