[发明专利]氧化物薄膜晶体管阵列基板及制作方法与液晶显示面板

摘要

一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，包括：在衬底上制作形成氧化物半导体层，其中氧化物半导体层包括第一区域、第二区域和第三区域；在氧化物半导体层上制作形成氧化物薄膜晶体管的栅极和栅极绝缘层，其中栅极绝缘层覆盖氧化物半导体层的第一区域；在第一区域被栅极绝缘层覆盖的前提下，对氧化物半导体层的第二区域和第三区域进行离子注入，使第二区域和第三区域由半导体分别转变为第一电极和第二电极，其中第二电极作为像素电极，氧化物半导体层的第一区域保持为半导体性质并作为氧化物薄膜晶体管的沟道区；在衬底上形成第一钝化层，在第一钝化层上形成数据线，其中数据线填入第一钝化层的通孔中与第一电极电连接。

主权项

一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底(11)上制作形成氧化物半导体层(12)，其中所述氧化物半导体层(12)包括第一区域(A)、第二区域(B)和第三区域(C)；在所述衬底(11)上连续形成栅极绝缘层薄膜(13)和栅极金属层薄膜(14)，其中所述栅极绝缘层薄膜(13)覆盖所述氧化物半导体层(12)，所述栅极金属层薄膜(14)覆盖所述栅极绝缘层薄膜(13)；对所述栅极金属层薄膜(14)和所述栅极绝缘层薄膜(13)进行图形化，使所述栅极金属层薄膜(14)在被图形化之后形成氧化物薄膜晶体管的栅极(14a)，使所述栅极绝缘层薄膜(13)在被图形化之后形成栅极绝缘层(13a)，其中所述栅极绝缘层(13a)覆盖所述氧化物半导体层(12)的第一区域(A)；在所述氧化物半导体层(12)的第一区域(A)被所述栅极绝缘层(13a)覆盖的前提下，对所述氧化物半导体层(12)的第二区域(B)和第三区域(C)进行离子注入，使所述第二区域(B)和所述第三区域(C)由半导体分别转变为第一电极(122)和第二电极(123)，其中所述第二电极(123)作为像素电极，所述第一区域(A)保持为半导体性质并作为氧化物薄膜晶体管的沟道区(121)；在所述衬底(11)上形成第一钝化层(15)，其中所述第一钝化层(15)覆盖所述第一电极(122)、所述栅极(14a)和所述第二电极(123)，并在所述第一钝化层(15)中与所述第一电极(122)相对应的位置形成通孔(150)；在所述第一钝化层(15)上形成数据线(16)，其中所述数据线(16)填入所述第一钝化层(15)的通孔(150)中与所述第一电极(122)电连接；在所述第一钝化层(15)上形成第二钝化层(17)，其中所述第二钝化层(17)覆盖所述数据线(16)。