[发明专利]一种基于等离子半导体氧化钼的SERS基底及其制备方法在审
| 申请号： | 201511000566.5 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN105621486A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王灵芝;张金龙;谭贤军 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C01G39/02 | 分类号： | C01G39/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于新兴的具有等离子特性的氧化钼半导体材料作为SERS活性基底的制备方法。首先通过简单的溶剂热方法制备出具有不同等离子强度和频率的氧化钼纳米片，然后通过温和的煅烧处理移除表面的缺陷态物种(Mo5+, 氧空位)。一系列表征证明，煅烧处理后，形成了核壳结构的MoO3-x@MoO3纳米片，将其应用于SERS检测中，表现出非同寻常的高灵敏活性，检测极限可达10-7 M，可以贵金属纳米结构媲美。本发明制备出的SERS基底重复好，灵敏度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 等离子 半导体 氧化钼 sers 基底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于等离子半导体氧化钼的SERS活性基底及其制备方法，其特征在于，该方法首先通过简单的溶剂热的方法制备出具有不同等离子共振频率的MoO3‑x纳米片，然后再通过温和的煅烧处理移除表面的缺陷态物种，形成核壳结构的MoO3‑x@MoO3纳米片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东理工大学，未经华东理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201511000566.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
