[发明专利]基于激光切割工艺和深硅刻蚀工艺的低频能量采集器在审
| 申请号： | 201511002792.7 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN105552210A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 杨斌;王兴昭;刘景全;杨春生 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L41/083 | 分类号： | H01L41/083;H01L41/27 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中;樊昕 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于激光切割工艺和深硅刻蚀工艺的低频能量采集器，为折梁结构，其从最底层起，依次包括：衬底层、绝缘层、压电层和上电极层，所述绝缘层、压电层和上电极层之间键合，使用激光切割工艺，对所述衬底层、绝缘层、压电层和上电极层进行图形化，实现器件的低共振频率要求，使用深硅刻蚀工艺，对衬底层进行减薄，同时保留中心处的衬底厚度作为质量块。本发明器件具有共振频率较低，体积减小，工艺制作容易，转换效率高的特点，广泛适用于低频能量源的环境，且其工艺过程易实现而能够产量化。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 激光 切割 工艺 刻蚀 低频 能量 采集 | ||
【主权项】：
一种基于激光切割工艺和深硅刻蚀工艺的低频能量采集器，其特征在于，从最底层起，依次包括：衬底层、绝缘层、压电层和上电极层，所述绝缘层、压电层和上电极层之间键合，使用激光切割工艺，对所述衬底层、绝缘层、压电层和上电极层进行图形化，实现器件的低共振频率要求，使用深硅刻蚀工艺，对衬底层进行减薄，同时保留中心处的衬底厚度作为质量块。
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