[发明专利]多元化合物多晶成核控制装置及方法

摘要

本发明涉及多元化合物多晶成核控制领域，提供一种多元化合物多晶成核控制装置及方法，该装置包括气体冷却构件、气体开关构件、温度监控构件、气源构件、第一导气管和第二导气管，进气冷却构件包括两端开口的石英管，石英管的一端与合成安瓿贴紧，石英管的另一端与第一导气管的一端连接，第一导气管的另一端与气体开关构件的一端连接，气体开关构件的另一端与第二导气管的一端连接。本发明提出的技术方案结构简单，操作简单，容易获得高品质高纯度多晶合成料，免去了多晶合成料后期的提纯工艺，大大降低了时间和经济成本。

主权项

一种多元化合物多晶成核控制方法，其特征在于包括步骤：A、将进气冷却构件中的石英管的一端插入合成炉中并与合成安瓿贴紧，将石英管的另一端与快速转换接头的一端连接，将气体开关构件的一端与第一导气管的一端连接，将气体开关构件的另一端与第二导气管的一端连接，将所述第一导气管的另一端与快速转换接头的另一端相连，将所述第二导气管的另一端与气源构件连接，将温度监控构件与合成安瓿贴紧；B、将气体开关构件关闭，打开气源构件生成氮气，当生成氮气充足时，通过气体开关构件控制气体的通入；C、多晶料合成完成后，将合成安瓿的温度控制在预设的温度控制阈值，通过气体开关构件逐渐加大通入的气体量，当温度监控构件监测到合成安瓿内温度降低30℃时，保持此时的通气量不变，通气10min后关闭气体开关构件，停止气体通入，所述温度控制阈值比合成安瓿内多元化合物的结晶点高9～11℃；D、当温度监控构件监测到合成安瓿内温度回升至温度控制阈值时，打开气体开关构件，通过气体开关构件逐渐加大通入的气体量，当温度监控构件监测到合成安瓿内温度降低20℃时，保持此时的通气量不变，通气10min后关闭气体开关构件，停止气体通入；E、当温度监控构件监测到合成安瓿内温度回升至温度控制阈值时，再次通过气体开关构件逐渐加大通入的气体量，当温度监控构件监测到合成安瓿内温度降低10℃时，保持此时的通气量不变，通气10min后关闭气体开关构件，停止气体通入；F、当温度监控构件监测到合成安瓿内温度回升至温度控制阈值时，打开气体开关构件，通入与步骤E相同的通气量，当温度监控构件监测到合成安瓿内温度降低10℃后，合成炉开始进行梯度冷凝降温，降温过程中气体开关构件始终保持通入与步骤E相同的通气量，直到降温结束，完成多晶成核控制。