[发明专利]一种存储单元的编程方法有效

专利信息
申请号: 201511008461.4 申请日: 2015-12-29
公开(公告)号: CN106935269B 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 张赛;张建军;刘江;付永庆 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C16/10;G11C16/14
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 胡彬;邓猛烈
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种存储单元的编程方法,该方法包括:接收编程指令,基于存储单元的阈值电压判断存储单元当前所处的编程操作阶段;根据所述编程操作阶段选择编程电压调节档位,向存储单元施加编程电压。本发明实施例提供的一种存储单元的编程方法,在接收到编程指令后,判断存储单元当前所处的编程操作阶段,然后根据所述编程操作阶段选择编程电压调节档位,向存储单元施加编程电压。通过给不同的编程操作阶段配备专门的电压调节档位,提高了存储单元的编程速度且降低了芯片的老化速度。
搜索关键词: 一种 存储 单元 编程 方法
【主权项】:
一种存储单元的编程方法,其特征在于,包括:接收编程指令;基于存储单元的阈值电压判断存储单元当前所处的编程操作阶段;根据所述编程操作阶段选择编程电压调节档位,向存储单元施加编程电压。
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