[发明专利]一种利用陶瓷衬底制备多晶硅薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种利用陶瓷衬底制备多晶硅薄膜的方法，首先选取Al₂O₃陶瓷板作为衬底，经过热压工艺压制石墨薄膜，再以其为基板，采用磁控溅射法沉积多晶硅薄膜籽晶层，然后采用化学气相沉积技术在多晶硅籽晶层上沉积多晶硅薄膜，最后采用退火方法将多晶硅薄膜与陶瓷衬底进行分离，制得多晶硅薄膜。本发明的有益效果：设计合理，提供了一种基于可重复利用陶瓷衬底的多晶硅薄膜的制备方法，根据该方法制备多晶硅薄膜，避免使用昂贵的石墨衬底，有效的降低了制作成本，更加适于商业化生产及大规模应用。

主权项

一种利用陶瓷衬底制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：首先，选取陶瓷板，以陶瓷板为衬底，所述陶瓷板衬底的尺寸范围为50×50mm²‑200×200mm²，所述陶瓷板衬底厚度为0.1mm‑2mm；其次，以高纯度石墨粉为原料，采用热压工艺，以陶瓷衬底为基板，压制得到石墨薄膜，所述高纯度石墨粉的纯度大于99.9%；再次，以压附有石墨薄膜的陶瓷板为基板，采用磁控溅射法在石墨薄膜表面沉积多晶硅薄膜籽晶层；然后，采用化学气相沉积技术在多晶硅籽晶层上沉积多晶硅薄膜；最后，采用退火方法将多晶硅薄膜与陶瓷衬底进行分离，制得多晶硅薄膜。