[发明专利]半导体发光元件在审
| 申请号： | 201511012848.7 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105428479A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 江汉;蓝永凌;黄文宾;林兓兓;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及半导体发光元件，该半导体发光元件，包括一基板，及依次形成于所述基板上的氮化物缓冲层、n型层、浅量子阱层、多量子阱层和p型层，其特征在于：于所述浅量子阱层与多量子阱层之间还插入一复合结构层，所述复合结构层至少包括一p型掺杂GaN层、一n型掺杂GaN层、及位于p型掺杂GaN层与n型掺杂GaN层之间的隔离层。利用复合结构层中p型杂质向所述浅量子阱层和多量子阱层迁移的特性，增加多量子阱层发光强度的同时促使浅量子阱层和复合结构层发光，增加半导体元件出光面积，继而提升其发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
半导体发光元件，包括一基板，及依次形成于所述基板上的氮化物缓冲层、n型层、浅量子阱层、多量子阱层和p型层，其特征在于：于所述浅量子阱层和多量子阱层之间插入一复合结构层，所述复合结构层至少包括一p型掺杂GaN层、一n型掺杂GaN层及位于所述p型掺杂GaN层与n型掺杂GaN层之间的隔离层。
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