[发明专利]白光发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201511014112.3 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105552183B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 朱学亮;张洁;邵小娟;杜成孝;刘建明;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种芯片级的白光发光二极管及其制作方法，通过在正常的蓝光量子阱的上面或者下面形成由量子阱构成的黄光激发层，利用蓝光量子阱发出的部分蓝光激发黄光激发层发出黄光，混合后形成白光，实现无荧光粉的白光芯片。在本发明中，利用有源层在电注入下发射蓝光，发出的蓝光激发黄光量子阱发射黄光，在注入电流时主要考虑与有源层匹配即可，以有源层发射出的蓝光量达到极大值为最佳。同时黄光量子阱的吸收转化效率高、不易饱和，混合产生的白光色温不随注入电流增大而偏离。 | ||
| 搜索关键词： | 白光 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.白光发光二极管，包括空穴注入层、有源层和电子注入层，所述有源层具有两个相对的表面，分别为出光面和背光面，其特征在于：在所述有源层的出光面之上设置一由光子激发的量子阱，所述有源层与量子阱之间还设置有一势垒层，所述有源层的出光面邻近所述电子注入层，所述量子阱位于所述有源层与电子注入层之间，在电注入下所述有源层发射蓝光，其发射出的蓝光一部分穿过所述量子阱层向外射出，一部分激发所述量子阱发出黄光，两者混合后形成白光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安光电科技有限公司，未经厦门市三安光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201511014112.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
