[发明专利]一种GF单层多点无边框触摸屏及其制备工艺

摘要

本发明涉及触摸屏技术领域，尤其涉及一种GF单层多点无边框触摸屏及其制备工艺。触摸屏包括钢化玻璃盖板、透明光学胶层及ITO导电膜，ITO导电膜边框的走线区包括设于触摸屏一端的横向走线区，ITO导电膜设有单端出线的单层多点电极图案，横向走线区压合有FPC，ITO导电膜的引出线通过FPC连接有一IC芯片，钢化玻璃盖板设置有防爆层和防反光层。本发明通过在触摸屏一端的横向走线区压合FPC，使触摸屏的纵向边无需布线，从而营造无边框视觉效果；本发明具有良好的光电性能、稳定性和防爆能力，制备过程只需一次FPC压合，工艺简单，产品良率高，可保证触摸屏的优良性能和生产稳定性。

主权项

1.一种GF单层多点无边框触摸屏，其特征在于：包括从上往下依次设置的钢化玻璃盖板、透明光学胶层及ITO导电膜，所述ITO导电膜的边框为走线区，所述走线区包括设置于触摸屏一端的横向走线区，所述ITO导电膜设有单端出线的单层多点电极图案，ITO导电膜的引出线对应设置于横向走线区，所述横向走线区压合FPC，ITO导电膜的引出线通过FPC连接有一IC芯片，钢化玻璃盖板的下表面设置有防爆层，钢化玻璃盖板的上表面设置防反光层，所述FPC包括FPC主体区及连接于FPC主体区末端的FPC延长区，FPC主体区包括金手指，金手指距离FPC边缘的距离为3‑8mm；所述GF单层多点无边框触摸屏的制备工艺，包括以下步骤：前段工序(A1)ITO镀膜：在PET基材层的正面沉积SiO2阻挡层，采用磁控溅射法在已沉积SiO2阻挡层的PET基材层正面镀ITO薄膜，在磁控溅射的同时采用紫外光照射；然后真空退火，得到ITO导电膜粗品；(A2)清洗：对ITO导电膜粗品进行清洗；(A3)蚀刻去除：采用激光蚀刻将ITO导电膜粗品位于预设视窗区之外的ITO薄膜除去；(A4)印刷导电银浆：在ITO导电膜粗品的激光蚀刻区域印刷导电银浆，形成导电银浆层，对导电银浆进行激光蚀刻银浆线，形成横向走线区；(A5)烘烤：对蚀刻有银浆线的ITO导电膜粗品进行烘烤；(A6)蚀刻电极图案：对ITO导电膜粗品的预设视窗区进行激光蚀刻蚀刻电极图案；(A7)覆膜：在印刷导电银浆后的ITO导电膜粗品覆上保护膜；(A8)裁切：裁切形成FILM功能片；后端工序(B1)ACF绑定：对前段工序做好的FILM功能片绑定ACF导电胶；(B2)FPC热压：对贴好的ACF导电胶的FILM功能片的横向走线区热压FPC；(B3)透明光学胶层贴合：对压合好FPC的FILM功能片贴合透明光学胶层；(B4)组合：将贴好透明光学胶层的FILM功能片和钢化玻璃盖板进行组合，钢化玻璃盖板设置有防爆层和防反光层，得到一种GF单层多点无边框触摸屏；其中，所述步骤A4中银浆由以下重量百分比的原料组成：以上重量百分比之和为100％，所述银粉末由质量比为1:20‑1:30的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为30‑50μm，所述纳米银粉末的粒径为20‑50nm；所述石墨粉末由质量比为1:20‑1:30的微米石墨粉末和纳米石墨粉末组成，所述微米石墨粉末的粒径为30‑50μm，所述纳米石墨粉末的粒径为20‑40nm；所述二氧化硅粉末的粒径为10‑30nm；所述防沉降剂为聚酰胺蜡或酰胺改性氢化蓖麻油；其中，所述步骤A4中导电银浆的激光蚀刻速度为1500‑2500mm/s，蚀刻功率为10‑30W,蚀刻频率为100‑200kHz。