[发明专利]一种表面改性的SiC纳米线及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201511014849.5 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105733309A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 张晓东;杨路路;周宇航;闫旭;黄小萧;温广武;侯思民;赵义;刘文会;刘璐 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C09C1/28 | 分类号： | C09C1/28;C09C3/06 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面改性的SiC纳米线及其制备方法与应用，所述方法为：将SiC纳米线放置到管式烧结炉或可以气氛保护的加热装置中，通入氧气和氮气混合气流，然后启动加热，由室温加热至700～1400℃，控制加热速率为5～20℃/min，保温时间为30～120min，即可得到表面改性后的SiC纳米线。表面改性后的SiC纳米线为核壳结构的一维纳米材料，芯部为SiC，外层为SiO2，SiO2紧密包覆在SiC外面形成致密的包覆层，SiO2包覆层为非晶态，界面处的结合为原子尺度的紧密结合，外部的SiO2包覆层厚度可以控制为2nm~500nm。本发明解决了现有碳化硅纳米线在使用过程中的活性低、难分散、易氧化、界面结合差等问题，具有制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低、产率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 改性 sic 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种表面改性的SiC纳米线，其特征在于所述表面改性的SiC纳米线为核壳结构的一维纳米材料，芯部为SiC，外层为SiO2，SiO2紧密包覆在SiC外面形成致密的包覆层，其中SiO2包覆层为非晶态，界面处的结合为原子尺度的紧密结合，SiO2包覆层厚度控制为2nm~500nm。
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