[发明专利]氧化锗预清洁模块和方法

摘要

本发明涉及氧化锗预清洁模块和方法。在一些实施方案中，一种用于集成电路制造的方法包括从衬底的表面去除氧化物材料，其中所述表面包括硅和锗。去除所述氧化物材料包括将含卤素的预清洁材料沉积在含氧化硅的表面上，并且升华所述含卤素的预清洁材料的一部分以暴露所述表面上的硅。将钝化膜沉积在暴露硅上。所述钝化膜可包括氯。所述钝化膜可防止硅表面受来自稍后升华的化学物质污染，稍后升华可在高于较早升华的温度下。随后，使所述含卤素的预清洁材料的剩余部分和所述钝化膜升华。随后可将如导电材料的目标材料沉积在衬底表面上。

主权项

1.一种用于集成电路制造的方法，其包括：从衬底的表面去除氧化物材料，其中所述表面包含硅和锗，并且其中去除所述氧化物材料包括：将含卤素的预清洁材料沉积在所述表面上；选择性地升华布置于所述衬底的所述硅上的所述含卤素的预清洁材料的第一部分以暴露所述衬底的所述表面上的硅；将钝化材料沉积在所述衬底的所述表面上的被暴露的所述硅上；和在沉积所述钝化材料之后，升华所述含卤素的预清洁材料的第二部分以将含锗和氧的物质从所述表面去除；其中沉积所述含卤素的预清洁材料和升华所述含卤素的预清洁材料的第一部分使含硅及氧的物质从所述表面去除。