[发明专利]一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法在审
| 申请号： | 201511018014.7 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105428358A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 俞文杰;刘强;刘畅;文娇;王翼泽;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/088;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法，包括：图形化绝缘体上硅衬底，所述图形化绝缘体上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置形成有凹槽，所述凹槽与底层硅之间保留有部分的绝缘层；CMOS器件，制作于所述图形化绝缘体上硅衬底上，且所述CMOS器件的沟道制作于与所述凹槽对应的顶层硅中。本发明在图形化绝缘体上硅衬底上制作CMOS器件，所述图形化绝缘体上硅衬底的绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置形成有凹槽，所述凹槽与底层硅之间保留有部分的绝缘层，以在CMOS器件体区下方设置空洞，可以大大增加后续制备CMOS器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 图形 绝缘体 衬底 cmos 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：步骤1)，制作图形化绝缘体上硅衬底，所述图形化绝缘体上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置形成有凹槽，所述凹槽与底层硅之间保留有部分的绝缘层；步骤2)，于所述图形化绝缘体上硅衬底上制作CMOS器件，且所述CMOS器件的沟道制作于与所述凹槽对应的顶层硅中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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