[发明专利]过压保护电路及植入式有源电子医疗装置在审
| 申请号： | 201511018559.8 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105655970A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王震 | 申请（专利权）人： | 苏州景昱医疗器械有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/20 | 分类号： | H02H3/20 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 215028 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种过压保护电路及植入式有源电子医疗装置。所述过压保护电路包括：第一MOS场效应管、第二MOS场效应管、第三MOS场效应管、第四MOS场效应管及桥式整流器。其中，所述第一MOS场效应管的栅极与所述第三MOS场效应管的源极或漏极相连，所述第二MOS场效应管的栅极与所述第四MOS场效应管的源极或漏极相连。本发明实施例提供的过压保护电路及植入式有源电子医疗装置能够避免因过压造成对植入式有源电子医疗装置的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 电路 植入 有源 电子 医疗 装置 | ||
【主权项】：
一种过压保护电路，其特征在于，包括：第一MOS场效应管、第二MOS场效应管、第三MOS场效应管、第四MOS场效应管及桥式整流器，所述第一MOS场效应管的源极和漏极中的一个与所述过压保护电路的第一输入端子连接，另一个与所述桥式整流器的第一输入端子连接，所述第二MOS场效应管的源极和漏极中的一个与所述过压保护电路的第二输入端子连接，另一个与所述桥式整流器的第二输入端子连接，所述第一MOS场效应管的栅极与所述第三MOS场效应管的源极和漏极中的一个连接，所述第三MOS场效应管的源极和漏极中的另一个与所述桥式整流器的非接地输出端子连接，所述第二MOS场效应管的栅极与所述第四MOS场效应管的源极和漏极中的一个连接，所述第四MOS场效应管的源极和漏极中的另一个与所述桥式整流器的非接地输出端子连接，并且所述第三MOS场效应管与所述第四MOS场效应管的栅极与过压检测电路的输出端连接。
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