[发明专利]CdS基肖特基型探测器芯片钝化膜的制备方法在审
| 申请号： | 201511018984.7 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105576078A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李忠贺 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/56 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 田卫平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及钝化膜的制备方法，特别涉及一种CdS基肖特基型探测器芯片钝化膜的制备方法，具体为采用ZnS为材料，通过磁控溅射工艺设备制备CdS基肖特基型探测器芯片钝化膜，解决了现有技术中钝化膜的制备方法不适用于CdS肖特基型器件的问题，能够实现钝化膜层与CdS基底材料、金属膜层的牢固结合，且工艺简便，重复性好，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | cds 基肖特基型 探测器 芯片 钝化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CdS基肖特基型探测器芯片钝化膜的制备方法，其特征在于，采用ZnS为材料，通过磁控溅射工艺设备制备CdS基肖特基型探测器芯片钝化膜。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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