[发明专利]一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺

摘要

本发明公开一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺，其包括如下步骤：用8-10％的HF酸，通过滚轮带液的方式，将扩散后硅片非扩散面和边缘的磷硅玻璃去除；在可加热的不锈钢槽中，用5-30％的四甲基氢氧化铵，70-80℃下，腐蚀150-300s，利用四甲基氢氧化铵与硅反应但不与二氧化硅反应的特性，用四甲基氢氧化铵对非扩散面和边缘进行腐蚀，去除PN结，达到刻蚀PN结同时抛光的效果；纯水溢流的方式对硅片表面残留的四甲基氢氧化铵进行稀释，时间10-50s，对硅片进行降温；在PVDF材质的槽中，用15％左右的盐酸，常温下，对四甲基氢氧化铵进行中和，时间50s；在PVDF材质的槽中，用10-20％的HF酸，常温下，去除硅片扩散面的磷硅玻璃；在PVDF材质的槽中，用溢流水，洗净残留的HF酸。

主权项

一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺，其特征在于：包括如下步骤第一步、用8‑10％的HF酸，通过滚轮带液的方式，将扩散后硅片非扩散面和边缘的磷硅玻璃去除；第二步、在可加热的不锈钢槽中，用5‑30％的四甲基氢氧化铵，70‑80℃下，腐蚀150‑300s，利用四甲基氢氧化铵与硅反应但不与二氧化硅反应的特性，用四甲基氢氧化铵对非扩散面和边缘进行腐蚀，去除PN结，达到刻蚀PN结同时抛光的效果；第三步、纯水溢流的方式对硅片表面残留的四甲基氢氧化铵进行稀释，时间10‑50s，对硅片进行降温；第四步、在PVDF材质的槽中，用15％左右的盐酸，常温下，对四甲基氢氧化铵进行中和，时间50s；第五步、在PVDF材质的槽中，用10‑20％的HF酸，常温下，去除硅片扩散面的磷硅玻璃；第六步、在PVDF材质的槽中，用溢流水，洗净残留的HF酸。