[发明专利]具有高WN/W蚀刻选择性的剥离组合物有效
| 申请号： | 201511020997.8 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105739251B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 刘文达;李翊嘉;陈天牛;W·J·小卡斯特尔;稻冈诚二;G·E·帕里斯 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;吕小羽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
用于清洁集成电路衬底的组合物，所述组合物包含：水；氧化剂，其包含氧化物质的铵盐；腐蚀抑制剂，其包含具有通式R'NH |
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| 搜索关键词： | 具有 wn 蚀刻 选择性 剥离 组合 | ||
【主权项】：
用于清洁集成电路衬底的组合物，所述组合物包含：a.水；b.氧化剂，其包含氧化物质的铵盐；c.腐蚀抑制剂，其包含具有通式R'NH2的伯烷基胺，其中R'是包含最多约150个碳原子的烷基且将更通常是包含约4到约30个碳原子的脂族烷基；d.任选的水可混溶的有机溶剂；e.任选的有机酸；f.任选的缓冲物质；g.任选的氟化物离子源；和h.任选的金属螯合剂。
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