[发明专利]半导体芯片的共晶焊接方法有效
| 申请号： | 201511021788.5 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105489515B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王常毅;李勇昌;邹锋;蒋振荣;邹波 | 申请（专利权）人： | 桂林斯壮微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 石晓玲 |
| 地址： | 541004 广西壮族自*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种半导体芯片的共晶焊接方法，在芯片硅衬底背面蒸镀金属层，在一定温度下，使金属层与框架表面受压接触，在接触面发生键合形成共晶，实现共晶焊接，在半导体芯片硅衬底背面自里向外依次蒸镀W、Al、Ni、Cu，形成四层结构的金属层，其中W层厚度为 |
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| 搜索关键词： | 半导体 芯片 焊接 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体芯片的共晶焊接方法，在芯片硅衬底背面蒸镀金属层，在一定温度下，使金属层与框架表面受压接触，在接触面发生键合形成共晶，实现共晶焊接，其特征在于：在半导体芯片硅衬底背面自里向外依次蒸镀W、Al、Ni、Cu，形成四层结构的金属层，其中W层厚度为![]()
Al层厚度为![]()
Ni层的厚度为![]()
Cu层的厚度为1.1～1.2μm，Cu层与框架表面的镀层形成共晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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