[发明专利]应用于中波红外成像的红外滤光片有效
| 申请号： | 201511021824.8 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105487156A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 王继平;吕晶;胡伟琴;刘晶 | 申请（专利权）人： | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20;G02B1/10 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 周豪靖 |
| 地址： | 311188 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明所设计的应用于中波红外成像的红外滤光片，包括成分为单晶锗的基板以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层和第二镀膜层，其单晶锗的基板配合表面的镀膜层，实现中心波长定位在2500到5500纳米，其中2500～5500范围内Tavg≥95％，3500～5000范围内T≥90％，同时采用了对称的膜系设计，进一步简化了膜系结构降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 中波 红外 成像 滤光 | ||
【主权项】：
一种应用于中波红外成像的红外滤光片，包括成分为单晶锗的基板(1)以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层(11)和第二镀膜层(12)，其特征是所述第一镀膜层(11)包含从内向外依次排列的厚度为65纳米的Ge层、厚度为55纳米的ZnS层、厚度为116纳米的Ge层、厚度为203纳米的ZnS层、厚度为49纳米的Ge层、厚度为45纳米的ZnS层、厚度为361纳米的YF3层、厚度为100纳米的ZnS层，所述第二镀膜层(12)包含从内向外依次排列的厚度为65纳米的Ge层、厚度为55纳米的ZnS层、厚度为116纳米的Ge层、厚度为203纳米的ZnS层、厚度为49纳米的Ge层、厚度为45纳米的ZnS层、厚度为361纳米的YF3层、厚度为100纳米的ZnS层。
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