[发明专利]一种电磁屏蔽用软磁合金及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201511022923.8 申请日: 2015-12-30
公开(公告)号: CN105624588B 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: 周少雄;董帮少;张广强;李宗臻;高慧;崔乃日 申请(专利权)人: 安泰科技股份有限公司
主分类号: C22C45/02 分类号: C22C45/02;C22C45/04;C22C45/00
代理公司: 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙)11387 代理人: 刘春成,荣红颖
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种电磁屏蔽用软磁合金及其制备方法,属于电磁复合材料技术领域。该合金的表达式为MaZbTcSid;其中,表达式中M为Fe、Co、Ni中的至少一种,Z为P、N、B、C、O、As中的至少一种,T为Sn、Sb、Pb、Al、Bi、Ga、Zr、Ti、Ta、Hf、Nb、V、W、Mo、Mn、Cr、Y中的至少一种,其余为少量不可避免的杂质;所述表达式中a、b、c和d分别表示各对应组分的原子百分比含量(原子%),且满足25≤a≤70,5≤b≤70,0≤c≤10,0<d≤20,且a+b+c+d=100。该合金具有优良的导磁性、极低的磁损耗以及良好的韧性,特别适用于高频下的电磁屏蔽。
搜索关键词: 一种 电磁 屏蔽 用软磁 合金 及其 制备 方法
【主权项】:
一种电磁屏蔽用软磁合金,其特征在于,该合金的表达式为:MaZbTcSid;其中,所述表达式中M为Fe、Co、Ni中的至少一种,Z为P、N、B、C、O中的至少一种,T为Sn、Sb、Pb、Al、Bi、Ga、Zr、Ti、Ta、Hf、Nb、V、W、Mo、Mn、Cr、Y中的至少一种,其余为少量不可避免的杂质;所述表达式中a、b、c和d分别表示各对应组分的原子百分比含量(原子%),且满足以下条件:25≤a<65,15<b≤70,0≤c≤10,0<d≤20,且a+b+c+d=100;所述合金的组分中类金属原子Z和Si的原子百分比含量之和大于30。
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