[发明专利]一种砷化镓材料表面的改性方法有效
| 申请号： | 201511023310.6 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105513948B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李特;吴建耀;杨国文;李宁 | 申请（专利权）人： | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710077 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种新的GaAs材料表面改性的方法，能够稳定可靠地减少GaAs材料表面的缺陷、降低表面氧化的可能性、简化工艺步骤。该改性方法包括以下步骤：(1)将待处理的砷化镓材料置于真空腔室内，抽真空后通入惰性气体，在射频源的作用下形成稳定的等离子体进行物理清洁；(2)抽真空，然后向所述真空腔室通入腐蚀性气体，在射频源的作用下形成稳定的等离子体与材料表面的氧化层发生化学反应从而对砷化镓材料表面进行化学清洗，去除材料表面原有的氧化层和杂质并形成富Ga的材料表面；(3)抽真空，然后向所述真空腔室通入氮气，在射频源的作用下形成稳定的等离子体与富Ga的材料表面反应生成GaN材料钝化层。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 砷化镓材料 抽真空 射频源 真空腔室 氧化层 改性 氮气 简化工艺步骤 化学反应 腐蚀性气体 表面改性 表面氧化 惰性气体 化学清洗 钝化层 原有的 真空腔 去除 室内 清洁 | ||
【主权项】：
1.一种砷化镓材料表面的改性方法，包括以下步骤：(1)将待处理的砷化镓材料置于真空腔室内，抽真空后通入惰性气体，在射频源的作用下形成稳定的等离子体进行物理清洁；(2)抽真空，然后向所述真空腔室通入腐蚀性气体，在射频源的作用下形成稳定的等离子体与材料表面的氧化层发生化学反应从而对砷化镓材料表面进行化学清洗，去除材料表面原有的氧化层和杂质并形成富Ga的材料表面；(3)抽真空，然后向所述真空腔室通入氮气，在射频源的作用下形成稳定的等离子体与步骤(2)形成的富Ga的材料表面反应生成GaN材料钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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