[发明专利]一种改善SiNx在GaAs晶圆上粘附性的方法

摘要

本发明提出了一种改善SiNx在GaAs晶圆上粘附性的方法。本发明在主工艺开始前，在对晶圆表面进行等离子体预清洗时通入N2和活性较强的NH3，利用N2的等离子体对GaAs晶圆表面进行物理清洗，利用活性较强的NH3的等离子体与晶圆表面的氧化层进行化学反应露出新鲜的GaAs表面，在此基础上进行后续SiN薄膜的生长。该技术方案可以更有效地去除表面的沾污和氧化层，最大程度上改善SiNx薄膜与衬底之间的粘附性。其中还特别对工艺参数进行了优化，预清洗环节中NH3等参数的最佳配置有别于薄膜沉积环节，综合优化后的工艺能够完全避免解理过程中薄膜翘起的现象，从而提高了产品的成品率和性能。

主权项

1.一种改善SiNx在GaAs晶圆上粘附性的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一：将GaAs晶圆放进PECVD反应腔室内，抽真空；步骤二：向PECVD反应腔室内通入N2，对PECVD反应腔室进行吹扫，之后再抽真空；步骤三：通入N2和NH3，其中通入N2的流量范围为130～390sccm、NH3的流量范围为10～50sccm，N2和NH3的流量比范围为6:1～7:1；步骤四：待PECVD反应腔室内压强稳定，射频点火，使N2和NH3形成等离子体分别对GaAs晶圆表面进行物理清洗和化学清洗；步骤五：对PECVD反应腔室进行抽真空，并进行多次吹扫；步骤六：通入SiH4、NH3、N2和He，稳压后射频点火，进行SiNx薄膜生长。