[发明专利]应用于红外敏感元件的红外滤光片有效
| 申请号： | 201511024957.0 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105589121A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王继平;吕晶;胡伟琴 | 申请（专利权）人： | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 周豪靖 |
| 地址： | 311188 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明所设计的应用于红外敏感元件的红外滤光片，包括成分为Si单晶硅的基板以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层和第二镀膜层，其特征是所述第一镀膜层包含从内向外依次排列的厚度为110纳米的Ge层、厚度为319纳米的ZnS层、厚度为149纳米的Ge层、厚度为583纳米的ZnS层、厚度为1000纳米的YF3层、厚度为239纳米的ZnS层、所述第二镀膜层是厚度为1100纳米的C层。本发明得到的应用于红外敏感元件的红外滤光片，其Si单晶硅的基板配合表面的镀膜层，实现中心波长定位在8000到14000纳米，峰值透过率达80％以上，同时一面膜系结构降到6层，另一面直接为单层膜系结构，大大的简化了整体结构，从而提高了生产效率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 红外 敏感 元件 滤光 | ||
【主权项】：
一种应用于红外敏感元件的红外滤光片，包括成分为Si单晶硅的基板(2)以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层(1)和第二镀膜层(3)，其特征是所述第一镀膜层(1)包含从内向外依次排列的厚度为110纳米的Ge层、厚度为319纳米的ZnS层、厚度为149纳米的Ge层、厚度为583纳米的ZnS层、厚度为1000纳米的YF3层、厚度为239纳米的ZnS层、所述第二镀膜层(3)是厚度为1100纳米的C层。
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