[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201511025334.5 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106935635B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：形成半导体基底，所述半导体基底包括衬底、凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部的顶部和侧壁表面形成有屏蔽层；采用含氟气体去除所述屏蔽层；去除所述屏蔽层之后，对所述鳍部进行表面处理以去除所述鳍部表面的含氟副产物；形成横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面的栅极结构。本发明在采用含氟气体去除所述屏蔽层之后，在所述鳍部表面形成栅极结构之前，先对所述鳍部进行表面处理，去除因所述屏蔽层的去除工艺而残留于所述鳍部表面的含氟的副产物，避免残留的氟对所述鳍部的质量造成不良影响，从而提高鳍部内沟道的界面质量，进而提高半导体器件的载流子迁移率、可靠性等电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n形成半导体基底，所述半导体基底包括衬底、凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部的顶部和侧壁表面形成有屏蔽层；/n采用含氟气体去除所述屏蔽层；/n去除所述屏蔽层之后，对所述鳍部进行表面处理以去除所述鳍部表面的含氟副产物，所述鳍部的材料为硅，所述含氟副产物与所述鳍部表面形成硅-氟键，对所述鳍部进行表面处理的步骤包括：对所述鳍部进行光照工艺，使所述硅-氟键断开；进行所述光照工艺之后，对所述鳍部表面进行氧化处理，在所述鳍部表面形成氧化层；去除所述氧化层；/n形成横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面的栅极结构。/n
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