[发明专利]惯性传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201511025641.3 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105628054B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 闻永祥;范伟宏;刘琛;季锋 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G01C25/00 | 分类号： | G01C25/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余毅勤 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种惯性传感器及其制作方法，在封帽硅片和器件硅片键合之后，刻蚀形成封帽硅片上的深槽引线窗口的同时，利用器件硅片上的图形化的金属电极层作为掩膜刻蚀形成压点柱，避免在形成可动质量块的过程中，采用的氢氟酸气相腐蚀工艺腐蚀压点柱结构下层的牺牲氧化层和隔离层，不会造成支撑压点柱的氧化层面积缩小或使压点柱被悬浮而使器件失效，有利于缩小压点柱的面积从而缩小整个惯性传感器的面积，提高惯性传感器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 惯性 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种惯性传感器制作方法，其特征在于，包括：提供一器件硅片，所述器件硅片的正面依次形成有隔离层、图形化的第一导电层、牺牲氧化层、第二导电层以及图形化的金属电极层，所述牺牲氧化层中设置有通孔，所述第二导电层通过所述通孔与所述图形化的第一导电层连接；刻蚀所述第二导电层形成运动质量块图形，并通过氢氟酸气相熏蒸工艺去除所述运动质量块图形与所述图形化的第一导电层之间的牺牲氧化层，形成可动质量块；提供一封帽硅片，所述封帽硅片上形成有保护腔；将所述器件硅片与封帽硅片进行键合，所述封帽硅片的保护腔对应所述器件硅片的可动质量块；以及刻蚀所述封帽硅片形成深槽引线窗口，并由所述深槽引线窗口刻蚀所述第二导电层，所述图形化的金属电极层作为掩膜层保护其下方的第二导电层未被刻蚀形成压点柱。
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