[发明专利]一种氧化亚铜单晶薄膜的制备方法有效
申请号: | 201511025986.9 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN105525349B | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 王晓峰;李丽娟;霍自强;王军喜;李晋闽;曾一平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;C30B25/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种氧化亚铜薄膜的制备方法,包括如下步骤:步骤1,将铜源放入反应舟内,反应舟放入石英反应管内;步骤2,将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上,放入石英反应管内;步骤3,打开铜源气路,让惰性气体通过反应舟进入石英反应管,反应舟的出口正对衬底表面;步骤4,打开氧源气路,让惰性气体携带氧源进入石英反应管;步骤5,加热石英反应管,加热石英反应管内的反应舟和衬底;步骤6,调节反应舟和衬底的工作温度,设定生长时间,在衬底上沉积氧化亚铜薄膜,完成制备。利用本发明的方法,能够大大降低氧化亚铜薄膜的制备成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化亚铜 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种氧化亚铜薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,将铜源放入反应舟内,反应舟放入石英反应管内;步骤2,将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上,放入石英反应管内,所述衬底为蓝宝石或硅衬底;步骤3,打开铜源气路,让惰性气体通过反应舟进入石英反应管,反应舟的出口正对衬底表面,反应舟的出口距离衬底表面0.5cm‑5cm;步骤4,打开氧源气路,让惰性气体携带氧源进入石英反应管,所述氧源为多种含氧气体的混合气体,含氧气体包括氧气、水蒸气、一氧化二氮、一氧化氮或二氧化氮;步骤5,加热石英反应管,加热石英反应管内的反应舟和衬底;步骤6,调节反应舟和衬底的工作温度,设定生长时间,在衬底上沉积氧化亚铜薄膜,完成制备;其中所述反应舟的温度为650℃、700℃或850℃;其中,所述的铜源为碘化亚铜。
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