[发明专利]一种强碱水热法制备微晶Bi-S基半导体材料的方法在审
| 申请号： | 201511026863.7 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105668624A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘玉峰;郑新峰;房永征;侯京山;张娜;赵国营 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术学院 |
| 主分类号： | C01G29/00 | 分类号： | C01G29/00 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 杨军 |
| 地址： | 200235 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种强碱水热法制备微晶Bi-S基半导体材料的方法，该方法首先将含硫化合物、氧化铋或铋盐、强碱和去离子水加入到反应釜中，在温室条件下搅拌，然后放入真空烘箱中加热反应，反应完成取出反应釜，将所得到的产物离心，干燥即得最终产物。该方法的优点在于所用的实验设备简单，操作方便，元素化学计量比精确，所需的原料价格低廉、无毒性，制备的产物具有片状形貌，并且具有良好的光电探测性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碱水 法制 备微晶 bi 半导体材料 方法 | ||
【主权项】：
一种强碱水热法制备微晶Bi‑S基半导体材料的方法，其特征在于，具体步骤如下：首先将3‑25mmol的含硫化合物、1‑10mmol氧化铋或铋盐、5‑30g强碱和5‑30mL的去离子水加入到反应釜中，搅拌10‑30min至反应物溶解；然后将反应釜密封放入200‑240℃的真空烘箱中加热反应1‑5天；最后离心、干燥即得微晶Bi‑S基半导体材料；其中：所述含硫化合物选自硫脲、硫粉、硫化钠、硫代乙酸、硫代硫酸钠或硫代乙酰胺中任意一种；所述强碱选自氢氧化钠、氢氧化钾或氢氧化铯中任意一种；所述微晶Bi‑S基半导体材料用化学式ABiS2表示，其中A选自Na、K或Cs中任意一种。
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