[发明专利]进气装置及半导体加工设备有效
申请号: | 201511027737.3 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN106929826B | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 廖凤英 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了进气装置及半导体加工设备,该进气装置在安装体和本体相接触的表面上,安装体和本体中的一个设置有用于在其内设置第一密封圈的环形凹部,另一个设置有环形凸部,环形凹部和环形凸部均设置在升降通道的内沿区域,环形凸部的靠近环形凹部的内径大小大于远离环形凹部的内径大小,环形凸部用于在环形凹部内将第一密封圈挤压在环形凸部的内周壁、环形凹部和升降针形成的空间内,第一密封圈同时受到朝向环形凹部的挤压力和朝向升降针的挤压力,和/或,在安装体和连通位置之间的升降通道的内壁上设置有环绕升降通道设置用于放置第二密封圈的环形通道,升降针的一端在环形通道所在位置和连通位置之间升降。该进气装置密封性好。 | ||
搜索关键词: | 环形凹部 环形凸部 密封圈 进气装置 升降通道 安装体 升降针 半导体加工设备 环形通道 连通位置 挤压力 密封性好 内周壁 内壁 挤压 升降 环绕 | ||
【主权项】:
1.一种进气装置,包括本体、安装体和升降针,所述安装体用于将所述升降针安装在所述本体上,所述安装体和所述本体上分别设置有与所述升降针一一对应的升降通道,所述本体上还设置有与所述升降针一一对应的进气通道;所述进气通道和所述升降通道相连通;通过使所述升降针位于连通位置,来改变所述进气通道在该连通位置处的通气截面积;其特征在于,在所述安装体和所述本体相接触的表面上,所述安装体和所述本体中的一个设置有环形凹部,另一个设置有环形凸部;所述环形凹部和所述环形凸部均设置在所述升降通道的内沿区域,所述环形凹部内设置有第一密封圈,所述环形凸部的靠近所述环形凹部的内径大小大于远离所述环形凹部的内径大小,所述环形凸部用于在所述环形凹部内将所述第一密封圈挤压在所述环形凸部的内周壁、所述环形凹部和所述升降针形成的空间内,以使所述第一密封圈同时受到朝向所述环形凹部的挤压力和朝向所述升降针的挤压力。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的