[发明专利]掩膜版图形的修正方法有效
| 申请号： | 201511028178.8 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106933028B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杜杳隽;杨济硕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掩膜版图形的修正方法，包括：提供芯片图形区，所述芯片图形区包括若干主图形；基于经验规则在各主图形周围设置第一辅助图形；对所述芯片图形区进行第一次光学临近修正，使若干主图形修正为第一修正图形；对所述芯片图形区进行检测，获取缺陷点；通过所述缺陷点建立缺陷区域；基于模型规则将所述缺陷区域内的第一辅助图形转换为第二辅助图形；在获取第二辅助图形之后，对缺陷区域内的第一修正图形进行第二次光学临近图形修正，获取第二修正图形。所述掩膜版图形的修正方法能够提高光刻图案的精度，降低掩膜版的制造成本，提高掩膜版的制造效率。 | ||
| 搜索关键词： | 版图 修正 方法 | ||
【主权项】：
一种掩膜版图形的修正方法，其特征在于，包括：提供芯片图形区，所述芯片图形区包括若干主图形；基于经验规则在各主图形周围设置第一辅助图形；对所述芯片图形区进行第一次光学临近修正，使若干主图形修正为第一修正图形；对所述芯片图形区进行检测，获取缺陷点；通过所述缺陷点建立缺陷区域；基于模型规则将所述缺陷区域内的第一辅助图形转换为第二辅助图形；在获取第二辅助图形之后，对缺陷区域内的第一修正图形进行第二次光学临近图形修正，获取第二修正图形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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