[发明专利]数据存储系统及基于该系统的数据读写方法

摘要

本发明涉及一种数据存储系统及基于该系统的数据读写方法，其中所述的系统包括：Flash模块，其包括无差别的第一数据存储区及第二数据存储区，用以每次上电进行数据读取和写入后，交替存储更新后的数据；数据变化记录区，用以在工作进程间歇期记录SRAM模块中的数据变化；地址指针区；SRAM模块，其包括数据区，用以在正常工作时，进行数据的读取与写入；标志位，用以表示该地址的数据是否改变。采用该种结构的数据存储系统及基于该系统的数据读写方法，与现有技术相比，不存在工艺技术壁垒，在国内具备大规模生产的可行性，并具备低成本优势，不需要外接大容量电容或电池，降低了外围电路的复杂性和成本，有利于实现方案的低成本和微型化。

主权项

1.一种数据存储系统，其特征在于，所述的系统包括：Flash模块，其包括：第一数据存储区以及与所述的第一数据存储区相同的第二数据存储区，用以每次上电进行数据读取和写入后，交替存储更新后的数据；数据变化记录区，用以在工作进程间歇期，检测SRAM模块的数据区中的某地址的标志位是否为0，如果为0，则将标志位为0的地址内存放的数据及该地址均写入该数据变化记录区；地址指针区，用以在第一数据存储区更新数据后，改写地址指针区以使得地址指针区的地址指向第二数据存储区；以及在第二数据存储区更新数据后，改写地址指针区以使得地址指针区的地址指向第一数据存储区；SRAM模块，其包括：数据区，用以在正常工作时，进行数据的读取与写入；标志位，用以每次向数据区的某地址写入数据时，系统比较该地址中原有数据与刚写入的数据是否相同，如果该地址中原有数据与刚写入的数据不相同，则将标志位修改为0；如果该地址中原有数据与刚写入的数据相同，则将标志位修改为1。