[发明专利]一种热处理设备及其处理晶圆的方法在审
申请号: | 201511029397.8 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN106935531A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 崔严匀;季勇 | 申请(专利权)人: | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种热处理设备及其处理晶圆的方法,该热处理设备包括炉体;横置在所述炉体内部的炉管,所述炉管的管口具有可拆卸密封盖且用于作为装入晶圆的入口,所述炉管的管尾作为输气口用于接收外部充气设备输入的氢气,所述炉管的管侧设置有排气管;与所述炉管的排气管连接的气体处理部件,用于对传输至所述排气管的炉管内过量气体进行处理并排出至所述炉体外。本发明中热处理设备的炉管结构及气体处理部件的配套使用,确保了氢气处理过程的安全性,以及该热处理设备采用纯氢工艺替代现有的氮气工艺,改善了晶圆表面态、降低了晶圆表面漏电流、提高了晶圆的电学特性和稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 热处理 设备 及其 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种热处理设备,其特征在于,包括:炉体;横置在所述炉体内部的炉管,所述炉管的管口具有可拆卸密封盖且用于作为装入晶圆的入口,所述炉管的管尾作为输气口用于接收外部充气设备输入的氢气,所述炉管的管侧设置有排气管;与所述炉管的排气管连接的气体处理部件,用于对传输至所述排气管的炉管内过量气体进行处理并排出至所述炉体外。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造