[发明专利]一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法有效
| 申请号： | 201511031067.2 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105632940B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 蔡清法;王进朝;李强;高鑫;孟凡国 | 申请（专利权）人： | 梅州宝得电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 罗振国 |
| 地址： | 514768 广东省梅州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶COB封装镜面铝基板，属于COB封装技术领域，其技术要点包括以下步骤：(1)线路基板的制备；(2)PP半固化片的制备；(3)镜面铝的准备；(4)铆合；(5)排板；(6)压合；(7)外形制作；本发明旨在提供一种工序较为简化、产品良率较高且生产制作成本较低的多晶COB封装镜面铝基板的制作方法；用于制作多晶COB封装镜面铝基板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 cob 封装 镜面铝基板 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法，包括以下步骤：(1)线路基板的制备；(2)PP半固化片的制备；(3)镜面铝的准备；(4)铆合；(5)排板；(6)压合；(7)外形制作，其特征在于，步骤(2)所述PP半固化片的制备具体为：(a)选材：选用常规FR‑4PP或NF‑PP的低流胶半固化片；(b)裁剪：将低流胶半固化片按步骤(1)线路基板的尺寸剪切成生产需要的尺寸规格；(c)固晶区内模图形成型：使用冲床及冲压模具制作裸露图形；裸露的尺寸大于线路板的内模图形，同时制作出定位孔及铆钉孔；步骤(4)所述铆合具体为：将线路板、PP半固化叠合，并使用热熔机热铆合在一起形成COB板；其铆合参数为：加热温度为180～205℃，加热时间10～30秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
