[发明专利]集成无源器件的框架封装结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201511031260.6 申请日: 2015-12-31
公开(公告)号: CN106935517B 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 任晓黎;孙拓北 申请(专利权)人: 深圳市中兴微电子技术有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/495
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 张振伟;姚开丽
地址: 518085 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种集成无源器件的框架封装结构及其制备方法,所述集成无源器件的框架封装结构包括:裸片垫,设置于所述裸片垫下方的第一绝缘介质层,设置于所述第一绝缘介质层下方的金属结构层,设置于所述金属结构层下方的第二绝缘介质层,以及,设置于所述裸片垫外围的至少一个导电焊盘;所述至少一个导电焊盘与所述第二绝缘介质层连接;所述裸片垫上设置有至少一个有源芯片,所述至少一个有源芯片与所述导电焊盘电连接。
搜索关键词: 集成 无源 器件 框架 封装 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种集成无源器件的框架封装结构,其特征在于,所述框架封装结构包括:裸片垫,设置于所述裸片垫下方的第一绝缘介质层,设置于所述第一绝缘介质层下方的金属结构层,设置于所述金属结构层下方的第二绝缘介质层,以及,设置于所述裸片垫外围的至少一个导电焊盘;所述至少一个导电焊盘与所述第二绝缘介质层连接;所述裸片垫上设置有至少一个有源芯片,所述至少一个有源芯片与所述导电焊盘电连接;其中,所述裸片垫、所述金属结构层以及所述第一绝缘介质层形成电容元件;或者是,所述金属结构层设置为线圈结构而形成电感元件;或者是,所述金属结构层采用高电阻率的材料而形成电阻元件。
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