[发明专利]集成无源器件的框架封装结构及其制备方法有效
申请号: | 201511031260.6 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN106935517B | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 任晓黎;孙拓北 | 申请(专利权)人: | 深圳市中兴微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/495 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张振伟;姚开丽 |
地址: | 518085 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种集成无源器件的框架封装结构及其制备方法,所述集成无源器件的框架封装结构包括:裸片垫,设置于所述裸片垫下方的第一绝缘介质层,设置于所述第一绝缘介质层下方的金属结构层,设置于所述金属结构层下方的第二绝缘介质层,以及,设置于所述裸片垫外围的至少一个导电焊盘;所述至少一个导电焊盘与所述第二绝缘介质层连接;所述裸片垫上设置有至少一个有源芯片,所述至少一个有源芯片与所述导电焊盘电连接。 | ||
搜索关键词: | 集成 无源 器件 框架 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成无源器件的框架封装结构,其特征在于,所述框架封装结构包括:裸片垫,设置于所述裸片垫下方的第一绝缘介质层,设置于所述第一绝缘介质层下方的金属结构层,设置于所述金属结构层下方的第二绝缘介质层,以及,设置于所述裸片垫外围的至少一个导电焊盘;所述至少一个导电焊盘与所述第二绝缘介质层连接;所述裸片垫上设置有至少一个有源芯片,所述至少一个有源芯片与所述导电焊盘电连接;其中,所述裸片垫、所述金属结构层以及所述第一绝缘介质层形成电容元件;或者是,所述金属结构层设置为线圈结构而形成电感元件;或者是,所述金属结构层采用高电阻率的材料而形成电阻元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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