[发明专利]多孔碳化硅陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201511032054.7 申请日: 2015-12-31
公开(公告)号: CN105669206B 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 余鹏;余开平;吕永虎;郝华丽;叶曙龙 申请(专利权)人: 南方科技大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B38/00
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 李志东
地址: 518055 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提出了制备多孔碳化硅陶瓷的方法,包括:将碳化硅粉末与复合粘结剂进行混炼,以便得到喂料;将喂料加热至120~160摄氏度进行注射成型,以便得到生坯;将生坯置入脱脂剂中,在40~60摄氏度下反应12~36小时,以便进行溶剂脱脂;将经过溶剂脱脂后的生坯置于马弗炉中,按第一温度控制程序进行热脱脂和预烧结;将经过热脱脂和预烧结的生坯置于烧结炉中,在真空或惰性气体条件下,按第二温度控制程序进行高温烧结,并得到多孔碳化硅陶瓷。利用该方法制备得到的多孔碳化硅陶瓷形状尺寸可控、孔隙率高、孔隙分布均匀且三维连通。
搜索关键词: 多孔 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种制备多孔碳化硅陶瓷的方法,其特征在于,包括:将碳化硅粉末与复合粘结剂进行混炼,以便得到喂料;将所述喂料加热至120~160摄氏度进行注射成型,以便得到生坯;将所述生坯置入脱脂剂中,在40~60摄氏度下反应12~36小时,以便进行溶剂脱脂;将经过所述溶剂脱脂后的生坯置于马弗炉中,按第一温度控制程序进行热脱脂和预烧结;将经过所述热脱脂和预烧结的生坯置于烧结炉中,在真空或惰性气体条件下,按第二升温程序进行高温烧结,并得到所述多孔碳化硅陶瓷;其中,所述第一温度控制程序包括:以2℃/min的升温速度升温至350~450摄氏度,并保温0.3~0.7小时;以1℃/min的升温速度升温至500~550摄氏度,并保温0.5~1.5小时;以5℃/min升温速度升温至1000~1200摄氏度,并保温1~3小时;以及在所述马弗炉中自然冷却;所述第二升温程序包括:以5℃/min的升温速度升温至1600~1700摄氏度,并保温5~15分钟;以5℃/min的升温速度升温至2000~2200摄氏度,并保温1‑3小时;以5℃/min的降温速度从2000摄氏度降至1000℃;以及在所述烧结炉中自然冷却。
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