[发明专利]一种异质外延生长氮化镓（GaN）的方法在审
| 申请号： | 201511032117.9 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105568386A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王嘉;谢亚宏;胡晓东;秦宇航 | 申请（专利权）人： | 上海澜烨材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/12;C30B25/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙) 31290 | 代理人： | 叶凤 |
| 地址： | 201702 上海市青浦区盈港*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体光电子领域，涉及半导体薄膜材料的外延生长和氢化物气相沉积(HVPE)技术领域，为一种异质外延生长氮化镓(GaN)的方法。该方法不仅操作简便，成本低廉，还能够显著降低外延膜因热应力产生的翘曲度，以获得接近零翘曲的GaN外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 氮化 gan 方法 | ||
【主权项】：
一种异质外延生长氮化镓(GaN)的方法，其特征在于，在双面抛光的衬底两面利用氢化物气相外延(HVPE)系统同时生长氮化镓外延膜。
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