[发明专利]基于移相控制的两电容SCC拓扑结构在审
| 申请号： | 201511034483.8 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105471228A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 曾君;孙伟华;刘俊峰 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H02M1/00 | 分类号： | H02M1/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于移相控制的两电容SCC拓扑结构，包括：第一电容C1、第二电容C2、第一开关管S1和第二开关管S2；两个电容分别串联了极性相反的第一开关管S1和第二开关管S2，开关管两端反向并联二极管；两个开关管第一开关管S1和第二开关管S2的导通时间相差半个周期，为固定频率、移相控制，通过控制移相角ɑ的大小以改变SCC结构等效电容Ceq的值进而实现对谐振变换器输出特性的调控。本发明具有开关损耗小和效率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 控制 电容 scc 拓扑 结构 | ||
【主权项】：
一种基于移相控制的两电容SCC拓扑结构，其特征在于，包括：第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一开关管(S1)和第二开关管(S2)；第一电容(C1)的正极和第二电容(C2)的正极相连接；第一电容(C1)的负极和第一开关管(S1)的漏极连接，第二电容(C2)的负极与第二开关管(S2)的源极连接；第一开关管(S1)的源极和第二开关管(S2)的漏极相连接；通过改变两电容SCC拓扑结构驱动信号的移相角ɑ大小控制第一开关管(S1)和第二开关管(S2)的导通时间，以改变流过第一电容(C1)的电流ic1值和第二电容(C2)的电流ic2，从而控制两电容SCC拓扑结构的等效电容；第一开关管(S1)和第二开关管(S2)的导通时间相差半个周期。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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