[发明专利]无结垂直三维半导体器件在审
| 申请号： | 201511035915.7 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105679828A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 陈青林;J(G)·利森尼雷耶斯 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 顾嘉运 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 一种无结垂直三维半导体器件。本发明涉及一种垂直三维半导体器件(10)，包括：位于衬底(104)上的源极层(102)；位于源极层(102)上的重复序列的水平的层堆叠(106)，每个序列包括电隔离层(108)和导电栅极层(110)。层堆叠(106)的电隔离层(108a)与源极层(102)接触，垂直沟道结构(112)延伸穿过水平的层堆叠(106)，金属漏极(114)排布在水平的层堆叠(106)和垂直沟道结构(112)之上。排布该源极层(102)以将电荷载流子注入垂直沟道结构(112)中，排布该金属漏极(114)以从垂直沟道结构(112)提取电荷载流子。垂直沟道结构(112)的导电率响应于施加至水平的层堆叠中的导电栅极层(110)上的电偏压而改变。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 三维 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种垂直三维半导体器件(10)，包括：源极层(102)，位于衬底(104)上；重复序列的水平的层堆叠(106)，位于源极层(102)上，每个序列包括电隔离层(108)和导电栅极层(110)，其中层堆叠(106)的电隔离层(108a)与源极层(102)接触，垂直沟道结构(112)，延伸穿过水平的层堆叠(106)，金属漏极(114)，排布在水平的层堆叠(106)和垂直沟道结构(112)之上，其中排布该源极层(102)以将电荷载流子注入垂直沟道结构(112)中，排布该金属漏极(114)以从垂直沟道结构(112)提取电荷载流子，并且其中垂直沟道结构(112)的导电率响应于施加至水平的层堆叠的导电栅极层(110)上的电偏压而改变。
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