[发明专利]硅基光伏太阳能电池的恢复方法

摘要

本发明涉及硅基光伏太阳能电池的恢复方法。光伏元件的处理方法至少包括以下步骤：-提供在表面处设置有至少一个发射区(1E)的硅基基板(1)；-在将基板(1)保持在包括在20℃和230℃之间且优选地在50℃和230℃之间的温度范围内的温度下的同时，在基板(1)中产生载流子；-在载流子产生步骤期间使基板(1)经历磁场(B)，该磁场(B)具有与发射区(1E)和基板(1)之间的界面(24)基本上平行的分量(Bc)。

主权项

光伏元件(10)的针对光致退化的处理方法，其至少包括以下步骤：‑提供所述元件(10)，其包括在表面处设置有至少一个发射区(1E)的硅基基板(1)；‑在将基板(1)保持在包括在20℃和230℃之间且优选地在50℃和230℃之间的温度范围内的温度下的同时，在基板(1)中产生载流子；特征在于，在载流子产生步骤期间使基板(1)经历磁场(B)，磁场(B)具有与发射区(1E)和基板(1)之间的界面(24)基本上平行的分量(Bc)，和特征在于，磁场(B)的分量(Bc)具有包括在10^‑4T和5×10^‑1T之间且有利地大于10^‑3T的强度。