[实用新型]金属键合对准监控结构有效
| 申请号： | 201520009969.5 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN204315526U | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陈政;刘煊杰;张海芳;包德军;李新;王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种金属键合对准监控结构，包括：多个第一对准标记块，所述多个第一对准标记块均匀分布于一第一硅片的上表面；至少一个第二对准标记块，所述第二对准标记块位于一第二硅片上表面；所述第一硅片和第二硅片键合在一起，其中，所述第一硅片的上表面面向所述第二硅片的上表面；所述多个第一对准标记块与所述第二对准标记块均为导电对准块。键合，使得所述第二对准标记块至少与一个所述第一对准标记块相接触，通过监测所述第二对准标记块与每个所述第一对准标记块之间的电流大小，判断所述第二对准标记块是否与所述第一硅片上中心的第一对准标记块是否键合，并确定所述第一硅片与所述第二硅片的偏移方向及偏移位移。 | ||
| 搜索关键词： | 金属键 对准 监控 结构 | ||
【主权项】：
一种金属键合对准监控结构，其特征在于，包括：多个第一对准标记块，所述多个第一对准标记块均匀分布于一第一硅片的上表面；以及至少一个第二对准标记块，所述第二对准标记块位于一第二硅片上表面；所述第一硅片和第二硅片键合在一起，其中，所述第一硅片的上表面面向所述第二硅片的上表面；所述多个第一对准标记块与所述第二对准标记块均为导电对准块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
