[实用新型]能实现电流双向流通的功率MOSFET器件

摘要

本实用新型涉及一种能实现电流双向流通的功率MOSFET器件，其元件区包括栅极金属区、源极金属区以及体极金属区，在源极金属区内包括源极金属以及元胞；元胞包括位于第一导电类型漂移区内上方的第二导电类型第一阱区、位于所述第二导电类型第一阱区内上方的第一导电类型注入区以及MOS栅结构；源极金属与第一导电类型注入区电连接，且第一导电类型注入区将源极金属与第二导电类型第一阱区隔离；体极金属区包括第二导电类型第二阱区以及体极金属，第二导电类型第二阱区与第二导电类型第一阱区等电位，且第二导电类型第二阱区与体极金属电连接。本实用新型可以实现电流在源极与漏极之间的双向流通，制造工艺简单，成本低廉，宜于批量生产。

主权项

一种能实现电流双向流通的功率MOSFET器件，在所述MOSFET器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的元件区以及终端保护区，所述终端保护区位于元件区的外圈，且终端保护区环绕包围元件区；在所述MOSFET器件的截面，所述半导体基板包括位于上部的第一导电类型漂移区以及位于下部的第一导电类型衬底层，所述第一导电类型衬底层邻接第一导电类型漂移区；第一导电类型漂移区的上表面形成半导体基板的第一主面，第一导电类型衬底层的下表面形成半导体基板的第二主面；其特征是：在所述MOSFET器件的俯视平面上，元件区包括相互绝缘隔离的栅极金属区、源极金属区以及体极金属区，在所述源极金属区内包括用于形成源极的源极金属以及位于所述源极金属下方的多个呈平行分布的元胞；在所述MOSFET器件的截面上，元胞包括位于第一导电类型漂移区内上方的第二导电类型第一阱区、位于所述第二导电类型第一阱区内上方的第一导电类型注入区以及MOS栅结构；源极金属与第一导电类型注入区电连接，且第一导电类型注入区将源极金属与第二导电类型第一阱区隔离；在所述MOSFET器件的截面上，体极金属区包括位于第一导电类型漂移区内上方的第二导电类型第二阱区以及位于所述第二导电类型第二阱区上方的体极金属，第二导电类型第二阱区与第二导电类型第一阱区等电位，且第二导电类型第二阱区与体极金属电连接。