[实用新型]一种用于硅麦克风的振膜有效
| 申请号： | 201520023310.5 | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN204518054U | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 万蔡辛;杨少军 | 申请（专利权）人： | 北京卓锐微技术有限公司 |
| 主分类号： | H04R7/12 | 分类号： | H04R7/12 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;朱世定 |
| 地址： | 100191 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于硅麦克风的振膜，其特征在于：所述振膜包括基面和设置在所述基面同侧的多个空心突起，所述空心突起具有凹面、底面和侧壁，所述凹面与所述基面位于同一平面上，所述底面与所述基面相平行；所述空心突起的高度高于所述基面厚度的1.5倍；所述凹面或者所述底面之中的面积较大者所具有的最大直径处于0.5-50微米范围内，且所述面积较大者所具有的最大直径和最小直径之比不大于5∶1。本实用新型的提出，使得以现有工艺水平可以实现在振膜上的每个局部均达到较优的改善效果，从而调整振膜的力学特性，以更进一步提高灵敏度、线性度、信噪比、敏感电容、动态响应等指标。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 麦克风 | ||
【主权项】：
一种用于硅麦克风的振膜，其特征在于：所述振膜包括基面和设置在所述基面同侧的多个空心突起，所述空心突起具有凹面、底面和侧壁，所述凹面与所述基面位于同一平面上，所述底面与所述基面相平行；所述空心突起的高度高于所述基面厚度的1.5倍；所述凹面或者所述底面之中的面积较大者所具有的最大直径处于0.5‑50微米范围内，且所述面积较大者所具有的最大直径和最小直径之比不大于5：1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京卓锐微技术有限公司，未经北京卓锐微技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520023310.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：压电受话器和超声波发生器复合结构
- 下一篇：电声转换器振膜
