[实用新型]N型双面电池有效
申请号: | 201520028371.0 | 申请日: | 2015-01-15 |
公开(公告)号: | CN204706574U | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 魏青竹;陆俊宇;连维飞;倪志春 | 申请(专利权)人: | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L21/228 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 唐灵;常亮 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种N型双面电池,其包括:N型硅片衬底、P型层、第一钝化减反膜、N+层、第二钝化减反膜、栅线电极;P型层、第一钝化减反膜依次设置于N型硅片衬底的上表面,第一钝化减反膜包括氧化铝和氮化硅,氧化铝和氮化硅依次层叠设置于P型层上;N+层、第二钝化减反膜依次设置于N型硅片衬底的下表面,第二钝化减反膜为氮化硅钝化减反膜;栅线电极为若干条,栅线电极分别分布于第一钝化减反膜和第二钝化减反膜上。本实用新型的N型双面电池效率高、使用寿命长,且其采用效果更好的氧化铝与氮化硅叠层钝化的方式,其中,氧化铝起到钝化作用,氮化硅起到保护及调整光学参数,降低反射率的作用。 | ||
搜索关键词: | 双面 电池 | ||
【主权项】:
一种N型双面电池,其特征在于,所述N型双面电池包括:N型硅片衬底、P型层、第一钝化减反膜、N+层、第二钝化减反膜、栅线电极;所述P型层、第一钝化减反膜依次设置于所述N型硅片衬底的上表面,所述第一钝化减反膜包括氧化铝和氮化硅,所述氧化铝和氮化硅依次层叠设置于所述P型层上;所述N+层、第二钝化减反膜依次设置于所述N型硅片衬底的下表面,所述第二钝化减反膜为氮化硅钝化减反膜;所述栅线电极为若干条,所述栅线电极分别分布于所述第一钝化减反膜和第二钝化减反膜上,所述栅线电极包括主栅线电极和副栅线电极,位于第一钝化减反膜和第二钝化减反膜上的主栅线电极对称设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中利腾晖光伏科技有限公司,未经中利腾晖光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520028371.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于光伏组件角铝的安装装置
- 下一篇:一种IGBT芯片的结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的