[实用新型]一种瞬态响应增强型片上电容LDO电路有效

专利信息
申请号: 201520041773.4 申请日: 2015-01-21
公开(公告)号: CN204833032U 公开(公告)日: 2015-12-02
发明(设计)人: 王本川;范涛 申请(专利权)人: 北京华强智连微电子有限责任公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100085 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开一种瞬态响应增强型片上电容LDO电路。包括基准(VREF)产生电路、误差放大器(AMP)、功率管、电阻串分压单元、以及充电通路、放电通路、耦合电容Cc1和Cc2。在负载电流突变时,利用设计的充电通路或者放电通路对功率管的栅电容(Cg)进行快速冲放电。本实用新型设计的新颖、有效的快速瞬态响应补偿通路,在实现瞬态响应补偿的同时,很好地实现了频率补偿,能够保证片上LDO在整个负载电流变化范围内保持稳定。本实用新型的LDO电路的功率管可以工作在线性区,其输入输出压差可以控制到0.1V以内。不需外接输出电容,应用电路简单,成本低。
搜索关键词: 一种 瞬态 响应 增强 型片上 电容 ldo 电路
【主权项】:
一种瞬态响应增强型片上电容LDO电路,其特征在于,包括基准电压源、误差放大器、功率管、电阻串分压单元、充电通路、放电通路、耦合电容Cc1和Cc2以及100pF的片上电容CINT;误差放大器的负端接基准电压源,误差放大器的正端接由R1和R2组成的电阻串分压单元的中间抽头,误差放大器的输出端接功率管的栅极,功率管的漏极接电阻串分压单元的输入端;充电通路与耦合电容Cc2串联,跨接在功率管的栅极和漏极之间,放电通路与耦合电容Cc1串联,跨接在功率管的栅极和漏极之间;所述LDO电路的输出端接100pF的片上电容。
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