[实用新型]一种瞬态响应增强型片上电容LDO电路有效
申请号: | 201520041773.4 | 申请日: | 2015-01-21 |
公开(公告)号: | CN204833032U | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 王本川;范涛 | 申请(专利权)人: | 北京华强智连微电子有限责任公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种瞬态响应增强型片上电容LDO电路。包括基准(VREF)产生电路、误差放大器(AMP)、功率管、电阻串分压单元、以及充电通路、放电通路、耦合电容Cc1和Cc2。在负载电流突变时,利用设计的充电通路或者放电通路对功率管的栅电容(Cg)进行快速冲放电。本实用新型设计的新颖、有效的快速瞬态响应补偿通路,在实现瞬态响应补偿的同时,很好地实现了频率补偿,能够保证片上LDO在整个负载电流变化范围内保持稳定。本实用新型的LDO电路的功率管可以工作在线性区,其输入输出压差可以控制到0.1V以内。不需外接输出电容,应用电路简单,成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 瞬态 响应 增强 型片上 电容 ldo 电路 | ||
【主权项】:
一种瞬态响应增强型片上电容LDO电路,其特征在于,包括基准电压源、误差放大器、功率管、电阻串分压单元、充电通路、放电通路、耦合电容Cc1和Cc2以及100pF的片上电容CINT;误差放大器的负端接基准电压源,误差放大器的正端接由R1和R2组成的电阻串分压单元的中间抽头,误差放大器的输出端接功率管的栅极,功率管的漏极接电阻串分压单元的输入端;充电通路与耦合电容Cc2串联,跨接在功率管的栅极和漏极之间,放电通路与耦合电容Cc1串联,跨接在功率管的栅极和漏极之间;所述LDO电路的输出端接100pF的片上电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京华强智连微电子有限责任公司,未经北京华强智连微电子有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520041773.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。