[实用新型]一种发光二极管外延片

摘要

本实用新型公开了一种发光二极管外延片，属于发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底、以及在衬底上依次生长的缓冲层、不掺杂的GaN层、第一n型掺杂的GaN层、n型掺杂的AlGaN层、应力释放层、多量子阱层和p型层，衬底为4英寸或6英寸的衬底，该发光二极管外延片还包括第二n型掺杂的GaN层，第二n型掺杂的GaN层位于不掺杂的GaN层和第一n型掺杂的GaN层之间，第二n型掺杂的GaN层的厚度是1～2微米，n型掺杂的AlGaN层的厚度是10～100nm。本实用新型可以有效减轻衬底与外延层之间由于晶格失配、热膨胀系数不同等所产生的应力，从而改善外延片生长时的翘曲，尤其改善大尺寸外延片生长时的翘曲。

主权项

一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括：衬底(1)、以及在所述衬底(1)上依次生长的缓冲层(2)、不掺杂的GaN层(3)、第一n型掺杂的GaN层(5)、n型掺杂的AlGaN层(6)、应力释放层(7)、多量子阱层(8)和p型层(9)，其特征在于，所述衬底(1)为4英寸或6英寸的衬底，所述发光二极管外延片还包括第二n型掺杂的GaN层(4)，所述第二n型掺杂的GaN层(4)位于所述不掺杂的GaN层(3)和所述第一n型掺杂的GaN层(5)之间，所述第二n型掺杂的GaN层(4)的厚度是1～2微米，所述n型掺杂的AlGaN层(6)的厚度是10～100nm；所述第二n型掺杂的GaN层(4)为第一n型掺杂的Al_x1Ga_y1N_1‑x1‑y1层(41)和第二n型掺杂的Al_x2Ga_y2N_1‑x2‑y2层(42)交替生长的周期性结构，0≤x1<x2<1，0<y1<1，0<y2<1；所述周期性结构中靠近所述不掺杂的GaN层(3)的是所述第一n型掺杂的Al_x1Ga_y1N_1‑x1‑y1层(41)；或者，所述第二n型掺杂的GaN层(4)为第三n型掺杂的Al_x3Ga_y3N_1‑x3‑y3层(43)和第四n型掺杂的Al_x4Ga_y4N_1‑x4‑y4层(44)交替生长的周期性结构，0≤x4<x3<1，0<y3<1，0<y4<1；所述周期性结构中靠近所述不掺杂的GaN层(3)的是所述第三n型掺杂的Al_x3Ga_y3N_1‑x3‑y3层(43)。