[实用新型]一种GaAs复合PHEMT-PIN的外延材料结构有效
| 申请号： | 201520055078.3 | 申请日： | 2015-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN204375756U | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈新宇;蒋东铭;杨磊 | 申请（专利权）人： | 南京国博电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/868;H01L29/06;H01L29/205;H01L21/335;H01L21/329 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 211111 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaAs复合PHEMT-PIN的外延材料结构，采用金属有机物化学气相沉积MOCVD或分子束外延MBE的生长方法制备，从下至上依次包括：衬底（1）、GaAs缓冲层（2）、第一i-GaAs层（3）、第一δ_掺杂层（4）、第一spacer层（5）、i-InGaAs层（6）、第二spacer层（7）、第二δ_掺杂层（8）、i-AlGaAs层（9）、n-GaAs层（10）、第二i-GaAs层（11）、P-GaAs层(12)。本实用新型在传统的GaAs PHEMT结构中增加材料层，形成PIN的材料结构，完成PHEMT、PIN二极管，肖特基二极管的兼容集成，增加电路设计的灵活性，提升单片电路的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 复合 phemt pin 外延 材料 结构 | ||
【主权项】：
一种GaAs复合PHEMT‑PIN的外延材料结构，其特征在于，从下至上依次包括：GaAs衬底（1）、GaAs缓冲层（2）、第一i‑GaAs层（3）、第一δ_掺杂层（4）、第一spacer层（5）、i‑InGaAs层（6）、第二spacer层（7）、第二δ_掺杂层（8）、i‑AlGaAs层（9）、n‑GaAs层（10）、第二i‑GaAs层（11）、P‑GaAs层(12)。
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