[实用新型]功率IC器件有效
| 申请号： | 201520070002.8 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN204614787U | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 郝建勇;张志娟;周炳 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 鞠明 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种功率IC器件，包括设置在同一芯片上的表层沟道CMOS晶体管和沟槽型功率IGBT晶体管，所述的沟槽型功率IGBT晶体管的发射极和所述的表层沟道CMOS晶体管的栅极设置在同一水平面。本实用新型功率IC器件，采用沟槽型功率IGBT晶体管结构取代传统的平面型IGBT结构，并与表层沟道CMOS晶体管形成在同一个芯片上，这样会在单位面积内增加管芯数，从而提高产量，增加效益。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 ic 器件 | ||
【主权项】：
一种功率IC器件，其特征是：包括设置在同一芯片上的表层沟道CMOS晶体管(1)和沟槽型功率IGBT晶体管(2)，所述的沟槽型功率IGBT晶体管(2)的发射极(3)和所述的表层沟道CMOS晶体管(1)的栅极(4)设置在同一水平面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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