[实用新型]防漏电的功率器件有效
| 申请号： | 201520070004.7 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN204424260U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 郝建勇;张志娟;周炳 | 申请（专利权）人： | 苏州同冠微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 鞠明 |
| 地址： | 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有防漏电的功率器件，包括芯片和由芯片表面自下而上的栅氧化层、绝缘层、电极及金属层，所述的电极的左侧设置栅氧化层和绝缘层，所述的电极的右侧也设置栅氧化层和绝缘层，栅氧化层和绝缘层之间设有多晶硅层，绝缘层将栅氧化层与电极隔开，左侧的栅氧化层和多晶硅层与左侧的绝缘层接触的一侧具有第一SIN侧墙，右侧的栅氧化层和多晶硅层与右侧的绝缘层接触的一侧具有第二SIN侧墙。本实用新型沉积一层SIN薄膜，形成SIN侧墙，可以对IGBT、VDMOS栅极起到一个很好的保护作用，从而减小栅极在高压、大电流下的漏电，提高产品可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种具有防漏电的功率器件，其特征是：包括芯片和由芯片表面自下而上的栅氧化层(8)、绝缘层(9)、电极(6)及金属层(7)，所述的电极(6)的左侧设置栅氧化层(8)和绝缘层(9)，所述的电极(6)的右侧也设置栅氧化层(8)和绝缘层(9)，栅氧化层(8)和绝缘层(9)之间设有多晶硅层(10)，绝缘层(9)将栅氧化层(8)与电极(6)隔开，左侧的栅氧化层(8)和多晶硅层(10)与左侧的绝缘层(9)接触的一侧具有第一SIN侧墙(11)，右侧的栅氧化层(8)和多晶硅层(10)与右侧的绝缘层(9)接触的一侧具有第二SIN侧墙(12)。
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