[实用新型]FinFET自热效应检测结构有效
| 申请号： | 201520100598.1 | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN204558458U | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种FinFET自热效应检测结构。包括：形成于一半导体基底上的鳍、横跨所述鳍的栅极、形成于所述鳍下方并位于所述栅极两侧的源区和漏区、以及与所述栅极的两端连接的检测焊垫。利用本实用新型的FinFET自热效应检测结构，通过两个检测焊垫，能够测得栅极的薄层电阻(Rs)，结合薄层电阻与温度的函数关系，即可获悉自热效应对器件的影响。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 热效应 检测 结构 | ||
【主权项】：
一种FinFET自热效应检测结构，其特征在于，包括：形成于一半导体基底上的鳍、横跨所述鳍的栅极、形成于所述鳍下方并位于所述栅极两侧的源区和漏区、以及与所述栅极的两端连接的检测焊垫。
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