[实用新型]齐纳二极管有效
| 申请号： | 201520102638.6 | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN204516773U | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王春来;操小莉 | 申请（专利权）人： | 深圳市麦积电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866 |
| 代理公司： | 深圳市君盈知识产权事务所(普通合伙) 44315 | 代理人： | 陈琳 |
| 地址： | 518042 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种齐纳二极管，包括半导体衬底，位于所述半导体衬底两端的外延层，位于所述半导体衬底上的低压阱，以及位于所述低压阱上的有源区，所述有源区到所述低压阱的侧壁的距离为0.4-1.2um。本实用新型实施例的齐纳二极管通过扩大有源区到低压阱的侧壁之间的距离以及在所述低压阱与半导体衬底之间设置高压阱的方式提高齐纳二极管的耐压值，实现了高压信号的钳位。 | ||
| 搜索关键词： | 齐纳二极管 | ||
【主权项】：
一种齐纳二极管，包括半导体衬底，位于所述半导体衬底两端的外延层，位于所述半导体衬底上的低压阱，以及位于所述低压阱上的有源区，其特征在于，所述有源区到所述低压阱的侧壁的距离为0.4‑1.2um。
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